A.2块芯片B.4块芯片C.6块芯片D.8块芯片E.12块芯片
单项选择题采用光学缩微技术的探测器是()。
A.非晶硒平板探测器B.非晶硅平板探测器C.CCD 探测器D.多丝正比电离室探测器E.闪烁晶体光电二极管线阵探测器
单项选择题会对非晶硒探测器造成结晶伤害的温度是高于()。
A.20℃B.25℃C.30℃D.35℃E.40℃
单项选择题会对非晶硒探测器造成脱膜伤害的温度是低于()。
A.0℃B.5℃C.10℃D.20℃E.35℃
单项选择题目前动态平板探测器已实现的动态采集是()。
A.12f/sB.24f/sC.30f/sD.120f/sE.300f/s
单项选择题静态非晶硒探测器外加电压强度是()。
A.0〜500VB.0〜1000VC.0〜2000VD.0〜5000VE.0〜10000V
单项选择题动态非晶体硒探测器外加电压强度提高到()。
A.100VB.500VC.1000VD.5000VE.10000V
单项选择题动态非晶体硒探测器采用了的非晶硒涂层厚度是()。
A.20μmB.100μmC.500μmD.1000μmE.5000μm
单项选择题动态平板探测器设备已用于()。
A.乳腺数字摄影B.普通数字摄影C.数字胃肠检查D.CTE.ECT
单项选择题使用环境湿度过高时会对非晶硒探测器造成的伤害是()。
A.脱膜B.探测器内部结露C.信号的扩散D.结晶E.噪声增加
单项选择题使用环境温度过高时会对非晶硒探测器造成的伤害是()。
单项选择题使用环境温度过低时会对非晶硒探测器造成的伤害是()。
单项选择题目前DR 的极限空间分辨力是()。
A.2cy/mmB.3.6cy/mmC.10cy/mmD.5cy/cmE.10cy/cm
单项选择题DR 平板探测器最大尺寸是()。
A.25cm x 30cmB.28cm x 35cmC.30cm x 38cmD.35cm x 43cmE.43cm x 43cm
单项选择题DR 的平板探测器属于()。
A.X 线发生单元B.X 线采集单元C.床、X 线管支架单元D.信息处理单元E.图像显示单元
单项选择题DR 是在传统X 线机的基础上发展起来的一种()。
A.高度集成化的X 线摄影设备B.高度集成化的模拟X 线摄影设备C.高度集成化的X 线透视设备D.高度集成化和数字化的X 线摄影设备E.高度集成化和数字化的X 线透视设备