A、原子束 B、分子束 C、中子束 D、离子束
单项选择题离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。
A.能量 B.剂量
单项选择题离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。
多项选择题硅外延片的应用包括（）。
A.二极管和三极管 B.电力电子器件 C.大规模集成电路 D.超大规模集成电路
多项选择题硅外延生长工艺包括（）。
A.衬底制备 B.原位HCl腐蚀 C.生长温度，生长压力，生长速度 D.尾气的处理
单项选择题位错的形成原因是（）。
A.位错就是由弹性形变造成的 B.位错就是由重力造成的 C.位错就是由范性形变造成的 D.以上答案都不对
