A.高斯函数B.余误差函数C.指数函数D.线性函数
单项选择题从离子源引出的是:()
A、原子束 B、分子束 C、中子束 D、离子束
单项选择题离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
A.能量 B.剂量
单项选择题离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。
多项选择题硅外延片的应用包括()。
A.二极管和三极管 B.电力电子器件 C.大规模集成电路 D.超大规模集成电路
多项选择题硅外延生长工艺包括()。
A.衬底制备 B.原位HCl腐蚀 C.生长温度,生长压力,生长速度 D.尾气的处理