离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。

单项选择题离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。

A.能量
B.剂量

多项选择题硅外延片的应用包括（）。

A.二极管和三极管
B.电力电子器件
C.大规模集成电路
D.超大规模集成电路

多项选择题硅外延生长工艺包括（）。

A.衬底制备
B.原位HCl腐蚀
C.生长温度，生长压力，生长速度
D.尾气的处理

单项选择题位错的形成原因是（）。

A.位错就是由弹性形变造成的
B.位错就是由重力造成的
C.位错就是由范性形变造成的
D.以上答案都不对

单项选择题下列晶体管结构中，在晶体管输出电流很大时常使用的是：（）

A、单基极条图形
B、双基极条图形
C、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构
D、梳状结构