为了避免陷落效应，晶体管的发射区多采用（）扩散来代替磷扩散。

单项选择题引起反向恢复过程的原因是PN结在（）期间存储在中性区中的非平衡少子电荷Q。

A.反向恢复
B.正向导通
C.碰撞电离
D.热激发

单项选择题当载流子积累的能量ΔE超过禁带宽度Eg时可使被碰撞的价带电子跃迁到导带，从而产生一对新的电子空穴对，这就是碰撞电离过程，其主要发生在反偏PN 结的（）中。

A.中性区
B.欧姆电极
C.耗尽区
D.扩散区

单项选择题外加正向偏压为V时，势垒区中EFn比EFp（）。

A.高qV
B.低qV
C.高q（V_bi-V）
D.低q（V_bi-V）

单项选择题当以正向扩散电流为主时，PN结的IV特性在ln（I）-V系统中的斜率为（）。

A.A
B.B
C.C
D.D

单项选择题反向偏置情况下，除空穴扩散电流Jdp和电子扩散电流Jdn外，还有（）。

A.势垒区的产生电流
B.势垒区的复合电流
C.产生电流
D.复合电流