A.反向恢复B.正向导通C.碰撞电离D.热激发
单项选择题当载流子积累的能量ΔE超过禁带宽度Eg时可使被碰撞的价带电子跃迁到导带,从而产生一对新的电子空穴对,这就是碰撞电离过程,其主要发生在反偏PN 结的()中。
A.中性区B.欧姆电极C.耗尽区D.扩散区
单项选择题外加正向偏压为V时,势垒区中EFn比EFp()。
A.高qVB.低qVC.高q(Vbi-V)D.低q(Vbi-V)
单项选择题当以正向扩散电流为主时,PN结的IV特性在ln(I)-V系统中的斜率为()。
A.AB.BC.CD.D
单项选择题反向偏置情况下,除空穴扩散电流Jdp和电子扩散电流Jdn外,还有()。
A.势垒区的产生电流B.势垒区的复合电流C.产生电流D.复合电流
单项选择题不考虑势垒区的产生-复合电流,Jdn和Jdp在势垒区为常数,这样总的电流密度等于J=Jdn(-xp)+Jdp(xn),这样求解电流密度方程就只需在()区进行。
A.耗尽B.中性C.势垒D.空间电荷