A.ICBO>ICS>ICEOB.ICBO>ICEO>ICSC.ICBO<ICEO<ICSD.ICBO<ICS<ICEO
单项选择题为了避免陷落效应,晶体管的发射区多采用()扩散来代替磷扩散。
A.铟B.硼C.镓D.砷
单项选择题引起反向恢复过程的原因是PN结在()期间存储在中性区中的非平衡少子电荷Q。
A.反向恢复B.正向导通C.碰撞电离D.热激发
单项选择题当载流子积累的能量ΔE超过禁带宽度Eg时可使被碰撞的价带电子跃迁到导带,从而产生一对新的电子空穴对,这就是碰撞电离过程,其主要发生在反偏PN 结的()中。
A.中性区B.欧姆电极C.耗尽区D.扩散区
单项选择题外加正向偏压为V时,势垒区中EFn比EFp()。
A.高qVB.低qVC.高q(Vbi-V)D.低q(Vbi-V)
单项选择题当以正向扩散电流为主时,PN结的IV特性在ln(I)-V系统中的斜率为()。
A.AB.BC.CD.D