A.相等 B.小 C.大
单项选择题NMOS器件的衬底是（）型半导体。
A.N型 B.P型 C.本征型 D.耗尽型
单项选择题当NMOS器件工作在饱和区时，沟道出于（）状态。
A.积累 B.耗尽 C.导通 D.夹断
单项选择题在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（）
A.增大 B.减小 C.不变 D.先减小后增大
单项选择题当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时，耗尽区加宽，使得阈值电压（）
A.增大 B.减小 C.不变 D.先增大后减小
单项选择题耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）
A.大于零 B.等于零 C.大于0.7V D.小于零
