A.是串联的nmos管B.是并联的nmos管C.是串联的pmos管D.是并联的pmos管上图中淡黄色为cont……

单项选择题N型半导体材料的迁移率比P型半导体材料的迁移率（）

A.相等
B.小
C.大

单项选择题NMOS器件的衬底是（）型半导体。

A.N型
B.P型
C.本征型
D.耗尽型

单项选择题当NMOS器件工作在饱和区时，沟道出于（）状态。

A.积累
B.耗尽
C.导通
D.夹断

单项选择题在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（）

A.增大
B.减小
C.不变
D.先减小后增大

单项选择题当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时，耗尽区加宽，使得阈值电压（）

A.增大
B.减小
C.不变
D.先增大后减小

单项选择题耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）

A.大于零
B.等于零
C.大于0.7V
D.小于零

单项选择题双极型晶体管有（）

A.二个pn结
B.一个pn结
C.三个pn结
D.没有pn结

单项选择题pn结正向偏置时，外加电场削弱势垒区内自建电场，因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入，形成正向（）

A.复合电流
B.漂移电流
C.扩散电流
D.漏电流

单项选择题通常把服从费米分布的半导体称为（）

A.简并半导体
B.非简并半导体
C.杂质半导体
D.化合物半导体

单项选择题施主杂质和受主杂质之间有相互抵消作用，通常称为（）

A.杂质电离
B.杂质补偿
C.载流子复合
D.载流子迁移

单项选择题PCI总线是（）

A.同步并行总线；
B.异步并行总线；
C.同步串行总线；
D.异步串行总线。

单项选择题DDR-SDRAM，SDR-SDRAM的主要区别是DDR-SDRAM（）

A.上升沿触发；
B.下降沿出发；
C.双沿触发；
D.低电平触发。

单项选择题下列存储器中，（）是NonVolatile（非易失）存储器。

A.SRAM
B.DRAM
C.FLASH
D.SBSRAM

单项选择题冯.诺依曼结构：也称（）结构，是一种将程序指令存储器和数据存储器（）的存储器结构。

A.普林斯顿，合并
B.普林斯顿，分离
C.哈佛，合并
D.哈佛，分离

单项选择题1965年，Gordon Moore提出了著名的摩尔定律，指出：每三年晶体管的集成数目就会翻（）番。

A.1
B.2
C.3
D.4