A.N型 B.P型 C.本征型 D.耗尽型
单项选择题当NMOS器件工作在饱和区时,沟道出于()状态。
A.积累 B.耗尽 C.导通 D.夹断
单项选择题在短沟道MOS器件中,当器件工作在饱和区,源漏电压升高,会使源漏电流()
A.增大 B.减小 C.不变 D.先减小后增大
单项选择题当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时,耗尽区加宽,使得阈值电压()
A.增大 B.减小 C.不变 D.先增大后减小
单项选择题耗尽型NMOS晶体管的阈值电压()
A.大于零 B.等于零 C.大于0.7V D.小于零
单项选择题双极型晶体管有()
A.二个pn结 B.一个pn结 C.三个pn结 D.没有pn结