关于光刻和压印两种图形复制技术下列哪种说法正确（）

单项选择题纳米电子器件是（）电子器件。

A.第一代
B.第三代
C.第四代
D.第二代

单项选择题下列哪种薄膜技术一般不用于制备超晶格多层膜（）

A.MOCVD
B.蒸镀
C.CBE
D.MBE

单项选择题关于共振隧穿器件下列哪种说法正确（）

A.器件是基于量子隧穿效应工作
B.器件功耗较高
C.器件为量子点结构
D.器件速度较低

单项选择题采取下面哪种方法能增大量子阱材料势阱中两相邻能级的间隔（）

单项选择题被高能入射电子轰击出来的样品核外电子，被称之为（）

A.特征X射线
B.背散射电子
C.透射电子
D.次级电子