A.一定为正值 B.一定为负值 C.不能肯定是正值或负值 D.视情况而定
单项选择题IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。
A.绝缘栅场效应管 B.结型场效应管 C.绝缘栅双极晶体管 D.双极型功率晶体管
单项选择题直接耦合放大电路的零点漂移主要是由于()造成的。
A.温漂 B.直流电压 C.输入电流 D.电容
单项选择题基本差分放大电路利用参数的对称性进行补偿来抑制()。
A.输入电阻 B.输出电阻 C.输出电压 D.温漂
单项选择题用来衡量放大电路对不同频率信号的放大能力的是()
A.上限频率B.通频带C.下限频率D.截止频率
单项选择题关于P沟道增强型MOS管的导通条件,以下说法正确的是()
A.UGS(th)<0,uGS B.UGS(th)<0,uGS>UGS(th) C.UGS(th)>0,uGS>UGS(th) D.UGS(th)>0,uGS
单项选择题光电三极管是依据光照强度来控制集电极()大小。
A.电压 B.电流 C.温度 D.频率
单项选择题关于三极管的共射交流电流放大系数β,以下说法正确的是()
A.β太小则放大能力强,β太大则温度稳定性强 B.β太小则放大能力不强,β太大则温度稳定性强 C.β太小则放大能力不强,β太大则温度稳定性差 D.β太小则放大能力强,β太大则温度稳定性差
单项选择题要使NPN三极管工作在放大状态的外部条件是()
A.发射结正向偏置且集电结反向偏置 B.发射结正向偏置且集电结正向偏置 C.发射结反向偏置且集电结反向偏置 D.发射结反向偏置且集电结正向偏置
单项选择题半径为R的圆电流在其环绕的圆内产生的磁场分布是()。
A.均匀的 B.中心处比边缘处强 C.边缘处比中心处强 D.距中心1/2处最强
单项选择题组合逻辑电路的特点是()。
A.输出与以前输入有关 B.输出只由当时输入决定 C.输出与原来输出有关 D.输出由当时和以前输入共同决定