A.绝缘栅场效应管 B.结型场效应管 C.绝缘栅双极晶体管 D.双极型功率晶体管
单项选择题直接耦合放大电路的零点漂移主要是由于（）造成的。
A.温漂 B.直流电压 C.输入电流 D.电容
单项选择题基本差分放大电路利用参数的对称性进行补偿来抑制（）。
A.输入电阻 B.输出电阻 C.输出电压 D.温漂
单项选择题用来衡量放大电路对不同频率信号的放大能力的是（）
A.上限频率B.通频带C.下限频率D.截止频率
单项选择题关于P沟道增强型MOS管的导通条件，以下说法正确的是（）
A.UGS（th）<0，uGS B.UGS（th）<0，uGS>UGS（th） C.UGS（th）>0，uGS>UGS（th） D.UGS（th）>0，uGS
单项选择题光电三极管是依据光照强度来控制集电极（）大小。
A.电压 B.电流 C.温度 D.频率
单项选择题关于三极管的共射交流电流放大系数β，以下说法正确的是（）
A.β太小则放大能力强，β太大则温度稳定性强 B.β太小则放大能力不强，β太大则温度稳定性强 C.β太小则放大能力不强，β太大则温度稳定性差 D.β太小则放大能力强，β太大则温度稳定性差
单项选择题要使NPN三极管工作在放大状态的外部条件是（）
A.发射结正向偏置且集电结反向偏置 B.发射结正向偏置且集电结正向偏置 C.发射结反向偏置且集电结反向偏置 D.发射结反向偏置且集电结正向偏置
单项选择题半径为R的圆电流在其环绕的圆内产生的磁场分布是（）。
A.均匀的 B.中心处比边缘处强 C.边缘处比中心处强 D.距中心1/2处最强
单项选择题组合逻辑电路的特点是（）。
A.输出与以前输入有关 B.输出只由当时输入决定 C.输出与原来输出有关 D.输出由当时和以前输入共同决定
单项选择题采用（）对电子设备、元器件进行电磁场屏蔽，主要原理是切断电磁干扰可能传播的路径，是抑制电磁辐射干扰的最有效方法。
A.金属机壳 B.覆盖 C.埋藏 D.断电
单项选择题线圈的自感系数大小的下列说法中，正确的是（）。
A.通过线圈的电流越大，自感系数也越大 B.线圈中的电流变化越快，自感系数也越大 C.插有铁芯时线圈的自感系数会变大 D.线圈的自感系数与电流的大小、电流变化的快慢、是否有铁芯等都无关
单项选择题关于感应电动势大小的下列说法中，正确的是（）。
A.线圈中磁通量变化越大，线圈中产生的感应电动势一定越大 B.线圈中磁通量越大，产生的感应电动势一定越大 C.线圈放在磁感强度越强的地方，产生的感应电动势一定越大 D.线圈中磁通量变化越快，产生的感应电动势越大
单项选择题只要穿过闭合回路的磁通量发生变化，闭合回路中就有电流产生，这种利用磁场产生电流的现象叫做（）。
A.磁力 B.电磁感应 C.感应磁 D.磁变化
单项选择题安培力的方向由（）手定则判定。
A.左 B.右 C.双 D.单
单项选择题在静电平衡状态时，导体内各点和表面上各点的电势都相等，即整个导体是个等势体，导体表面是（）势面。
A.正 B.负 C.等 D.零
