A.绝缘栅场效应管 B.结型场效应管 C.绝缘栅双极晶体管 D.双极型功率晶体管
单项选择题直接耦合放大电路的零点漂移主要是由于（）造成的。
A.温漂 B.直流电压 C.输入电流 D.电容
单项选择题基本差分放大电路利用参数的对称性进行补偿来抑制（）。
A.输入电阻 B.输出电阻 C.输出电压 D.温漂
单项选择题用来衡量放大电路对不同频率信号的放大能力的是（）
A.上限频率B.通频带C.下限频率D.截止频率
单项选择题关于P沟道增强型MOS管的导通条件，以下说法正确的是（）
A.UGS（th）<0，uGS B.UGS（th）<0，uGS>UGS（th） C.UGS（th）>0，uGS>UGS（th） D.UGS（th）>0，uGS
单项选择题光电三极管是依据光照强度来控制集电极（）大小。
A.电压 B.电流 C.温度 D.频率
单项选择题关于三极管的共射交流电流放大系数β，以下说法正确的是（）
A.β太小则放大能力强，β太大则温度稳定性强 B.β太小则放大能力不强，β太大则温度稳定性强 C.β太小则放大能力不强，β太大则温度稳定性差 D.β太小则放大能力强，β太大则温度稳定性差
单项选择题要使NPN三极管工作在放大状态的外部条件是（）
A.发射结正向偏置且集电结反向偏置 B.发射结正向偏置且集电结正向偏置 C.发射结反向偏置且集电结反向偏置 D.发射结反向偏置且集电结正向偏置
单项选择题半径为R的圆电流在其环绕的圆内产生的磁场分布是（）。
A.均匀的 B.中心处比边缘处强 C.边缘处比中心处强 D.距中心1/2处最强
单项选择题组合逻辑电路的特点是（）。
A.输出与以前输入有关 B.输出只由当时输入决定 C.输出与原来输出有关 D.输出由当时和以前输入共同决定
单项选择题采用（）对电子设备、元器件进行电磁场屏蔽，主要原理是切断电磁干扰可能传播的路径，是抑制电磁辐射干扰的最有效方法。
A.金属机壳 B.覆盖 C.埋藏 D.断电
