A.材料必须在熔化过程中成分不变B.材料在是温和熔点之间能够发生相变C.二氧化硅可以用于熔体生长法D.材料在熔……

单项选择题以下对于晶体生长的方法描述错误的是‎（）

A.金刚石一般采取固相生长法
B.Si晶体一般采用溶液生长法
C.GaN可以采取气相生长法
D.任何两相之间都有亚稳区存在，当热力学条件处于亚稳相区才有新相的产生

单项选择题以下对于非均匀形核的描述错误的是‍（）

A.一般所有的杂质都可以充当形核的基底
B.降低湿润角，一般需要选择与晶核相同晶体结构，相近的点阵常数作为异质形核点
C.当同质外延或直接从单质熔液生长单晶时，润湿角为零
D.杂质表面的形状对于表面形核有影响，凹面促进形核

单项选择题以下对于粗糙界面和光滑界面描述正确的是‍（）

A.晶体的生长单元比例x=NA/N，如果x〉50%就是粗糙界面，x〈50%就是光滑界面
B.x=50%是粗糙界面，x=0%或者100%为光滑界面
C.界面的相对吉布斯自由能与x无关
D.对于粗糙面，晶体生长采取二维成核或者自然台阶层状生长

单项选择题‌以下对于晶体生长描述正确的是​（）

A.晶体生长是平衡过程。
B.晶面的法向生长速度越快，就越容易留下来；反之则容易消失。
C.晶体的原子最密排面表面能最低。
D.晶体的形态取决于各个晶面的法向生长速度。

单项选择题‏以下对于半导体的描述错误的是‍（）

A.半导体可以应用于集成电路、光伏、发光器件、探测器等领域
B.第三代半导体的性能要优于第一代半导体，且应用更为广泛
C.在制备半导体时，需要高纯的原材料，杂质越少越好
D.目前硅片向大尺寸的方向发展，目前正在建设300mm的生产线