A.120±10℃B.140±10℃C.180±10℃D.200±10℃
单项选择题低熔玻璃封装采用的N2-O2混合气体中O2的含量一般为（）左右。
A.10%B.30%C.50%D.80%
单项选择题真空焊接是（）生产。
A.连续式大批量B.连续式小批量C.间歇式大批量D.间歇式小批量
单项选择题对于一些尺寸精细、图形复杂的金属引线框架，载带引线可采用化学加工方法中的（）技术。
A.腐蚀B.蚀刻C.电镀D.电解
单项选择题低熔玻璃是很好的低温（）
A.非密封材料B.密封材料C.半密封材料D.密封和粘接材料
单项选择题陶瓷基底的芯片内腔中烘渗有（）层，以便芯片粘结。
A.金B.镍C.锡D.铝
