冷等离子体技术采用的功率为（）W。

单项选择题ICP-MS截取锥的锥口位于距形成马赫（）处为截取锥的最佳位置。

A.1/3
B.1/2
C.2/3
D.4/3

单项选择题ICP-MS交叉雾化器气体喷嘴位于液体喷嘴中心与边界之间（）倍距离时，雾化器性能最佳。

A.0.5~1
B.1~1.5
C.1.5~2
D.2~2.5

单项选择题ICP-MS雾化器只允许小于（）μm的气溶胶雾滴进入等离子体。

A.1
B.5
C.10
D.20

单项选择题ICP-MS在雾化气中加入（），对发现易形成难熔氧化物的待测元素极为有利。

A.氧气
B.氦气
C.氢气
D.氖气

单项选择题ICP-MS是一种（）分析技术，能够检测和测量样品中（）元素的含量。

A.有机，有机
B.无机，无机
C.食品，食品
D.材料，材料

单项选择题下面关于ICP-MS分析中空白分析说法不正确的是（）

A.清洗空白溶液一般是2%体积分数的硝酸溶液，在测定样品过程中用来清洗仪器，以降低记忆效应干扰
B.试剂空白也叫过程空白，是与样品处理过程一样加入相同体积的所有试剂，用来评价样品制备过程中可能的污染和背景谱干扰
C.ICP-MS分析中改变样品种类（标准、空白、地表水样品、地下水样品等）时，无须清洗空白样品
D.校准空白一般是一定体积分数的硝酸溶液，用来建立分析校准曲线

单项选择题下面关于ICP-MS分析中内标使用的说法不正确的是（）

A.ICP-MS分析时应监控整个样品分析过程中的内标响应
B.任何一种内标的绝对响应值偏差都不能超过校准空白中最初响应的60%~125%
C.内标绝对响应值偏差超过校准空白中最初响应的60%~125%时，应用清洗空白的溶液清洗系统
D.内标绝对响应值偏差超过监控限时可以继续分析样品

单项选择题下面关于ICP-MS分析中基体干扰校正说法不正确的是（）

A.ICP-MS 条件优化可以降低基体干扰
B.外标漂移校正法不能降低基体干扰
C.内标法是降低基体干扰的有效方法
D.通过校正标准和样品基体匹配可降低基体干扰

单项选择题下面关于ICP-MS分析中使用碰撞 反应池技术的说法不正确的是（）

A.干扰离子碰撞解离模式是碰撞/反应池技术的应用模式
B.反应模式是碰撞/反应池技术的应用模式
C.干扰离子功能歧视消除模式是碰撞/反应池技术的应用模式
D.碰撞/反应池技术不能解决ICP-MS分析中的多原子离子干扰问题

单项选择题下面关于ICP-MS分析中使用数学校正法的说法不正确的是（）

A.如果干扰元素浓度特别高，而分析元素很低的情况下，数学校正法误差较大
B.多原子离子干扰不能通过干扰校正公式（方程）校正
C.可根据分析同位素和干扰同位素的关系推导出干扰校正公式（方程），利用干扰校正公式在线校正
D.可通过测定较高含量的干扰元素纯溶液求出干扰系数，离线对分析结果进行校正