ICP-MS截取锥的锥口位于距形成马赫（）处为截取锥的最佳位置。

单项选择题ICP-MS交叉雾化器气体喷嘴位于液体喷嘴中心与边界之间（）倍距离时，雾化器性能最佳。

A.0.5~1
B.1~1.5
C.1.5~2
D.2~2.5

单项选择题ICP-MS雾化器只允许小于（）μm的气溶胶雾滴进入等离子体。

A.1
B.5
C.10
D.20

单项选择题ICP-MS在雾化气中加入（），对发现易形成难熔氧化物的待测元素极为有利。

A.氧气
B.氦气
C.氢气
D.氖气

单项选择题ICP-MS是一种（）分析技术，能够检测和测量样品中（）元素的含量。

A.有机，有机
B.无机，无机
C.食品，食品
D.材料，材料

单项选择题下面关于ICP-MS分析中空白分析说法不正确的是（）

A.清洗空白溶液一般是2%体积分数的硝酸溶液，在测定样品过程中用来清洗仪器，以降低记忆效应干扰
B.试剂空白也叫过程空白，是与样品处理过程一样加入相同体积的所有试剂，用来评价样品制备过程中可能的污染和背景谱干扰
C.ICP-MS分析中改变样品种类（标准、空白、地表水样品、地下水样品等）时，无须清洗空白样品
D.校准空白一般是一定体积分数的硝酸溶液，用来建立分析校准曲线

单项选择题下面关于ICP-MS分析中内标使用的说法不正确的是（）

A.ICP-MS分析时应监控整个样品分析过程中的内标响应
B.任何一种内标的绝对响应值偏差都不能超过校准空白中最初响应的60%~125%
C.内标绝对响应值偏差超过校准空白中最初响应的60%~125%时，应用清洗空白的溶液清洗系统
D.内标绝对响应值偏差超过监控限时可以继续分析样品

单项选择题下面关于ICP-MS分析中基体干扰校正说法不正确的是（）

A.ICP-MS 条件优化可以降低基体干扰
B.外标漂移校正法不能降低基体干扰
C.内标法是降低基体干扰的有效方法
D.通过校正标准和样品基体匹配可降低基体干扰

单项选择题下面关于ICP-MS分析中使用碰撞 反应池技术的说法不正确的是（）

A.干扰离子碰撞解离模式是碰撞/反应池技术的应用模式
B.反应模式是碰撞/反应池技术的应用模式
C.干扰离子功能歧视消除模式是碰撞/反应池技术的应用模式
D.碰撞/反应池技术不能解决ICP-MS分析中的多原子离子干扰问题

单项选择题下面关于ICP-MS分析中使用数学校正法的说法不正确的是（）

A.如果干扰元素浓度特别高，而分析元素很低的情况下，数学校正法误差较大
B.多原子离子干扰不能通过干扰校正公式（方程）校正
C.可根据分析同位素和干扰同位素的关系推导出干扰校正公式（方程），利用干扰校正公式在线校正
D.可通过测定较高含量的干扰元素纯溶液求出干扰系数，离线对分析结果进行校正

单项选择题下面关于ICP-MS分析中，分离基体干扰元素的做法不正确的是（）

A.可采用共沉淀过滤分离基体的方法分离干扰元素
B.可采用色谱自动分离富集的方法分离干扰元素
C.用分离富集的方法分离干扰元素最大的缺点是容易带来试剂空白和污染问题
D.高氯海水痕量元素的分析中，去除基体影响达不到分离基体干扰元素的目的