1）改善非晶金属氧化物IGZO沉积条件、控制退火温度和存放环境等； 2）改善栅极绝缘层和非晶金属氧化物IGZO形成的界面。栅极绝缘层表面粗糙度越低，表面的缺陷态越少，成膜的质量越高，TFT的性能越好； 3）提高非晶金属氧化物IGZO钝化层性质。
问答题简述氧化物薄膜晶体管的特点。
问答题简述叠层存储电容的组成及等效电路。
问答题简述自对准结构的优点。
问答题简述薄膜晶体管沟道上面的金属层M3有两种作用。
问答题简述偏移结构的制作过程。
