A.N2B.O2C.HeD.水浴饱和蒸汽液态TEOS源是采用载流气体鼓泡方式携带，例如N2、O2、He，而P1……

单项选择题下列哪种工艺会使用到RF？（）

A.电镀
B.SOG
C.APCVD
D.PECVD

单项选择题在硅片加工中可以接受的膜，以下不具备需要的膜特征（）

A.好的台阶覆盖能力
B.填充高的深宽比间隙的能力
C.好的厚度均匀性
D.高的膜应力

单项选择题蒸发台以下哪项参数对膜厚影响最大（）

A.行星架转速
B.加热温度
C.熔源时间
D.tooling值

单项选择题P5000设备气态源制备SIN工艺中参与反应的气体是（）

A.SiH₄、O₂
B.SiH₄、NH₃
C.SiH₄、N₂O
D.SiH₄、N₂

单项选择题溅射台使用的AlSi靶材中，Si的含量是（）

A.0.5%
B.1%
C.0.05%
D.0.1%