判断题PN结的扩散电容来源于中性区非平衡载流子电荷随外加电压的变化。
判断题一般说来，当势垒区较宽时，即杂质浓度或杂质浓度梯度较小时，容易发生齐纳击穿。反之，则容易发生雪崩击穿。
判断题所谓小注入条件，是指注入某区边界附近的非平衡少子浓度远小于该区的平衡少子浓度，大注入条件是指注入某区边界附近的非平衡少子浓度远大于该区的平衡少子浓度。
判断题在平衡态时，多子的漂移运动与少子的扩散运动达到动态平衡，从而使得扩散电流等于漂移电流。
判断题单边突变结的耗尽区主要分布在重掺杂的一侧，最大电场与耗尽区宽度主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。
