单边突变结的耗尽区主要分布在重掺杂的一侧，最大电场与耗尽区宽度主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。

多项选择题长时间的热电子效应可能会对MOSFET的器件性能产生哪些影响？（）

A.阈值电压增大
B.跨导增大
C.亚阈区特性恶化
D.漏源击穿电压增加

多项选择题MOSFET发生速度饱和之后，以下哪些物理量将与沟道长度不相关？（）

A.饱和漏源电压
B.跨导
C.饱和漏极电流
D.最高工作频率

多项选择题以下哪些措施可以提高MOSFET的跨导？（）

A.减小沟道长度
B.增加衬底掺杂浓度
C.增加栅氧化层厚度
D.增加沟道载流子迁移率

多项选择题在实测的晶体管输出特性曲线中，IC在放大区随VCE的增加而略有增加，这是由（）造成的。

A.基区宽度调变效应
B.有效沟道长度调制效应
C.电导调制效应
D.厄尔利效应

单项选择题在平衡状态下，电子的电流密度（）。

A.等于0
B.大于0
C.小于0
D.大于等于0