判断题当硅表面处的少子浓度达到或超过体内平衡多子浓度时，称表面发生了强反型。
判断题一个增强型P沟道MOSFET，其阈值电压应该小于零。
判断题电流放大系数与频率成反比，频率每提高一倍，电流放大系数下降一半，功率增益降为四分之一。
判断题减薄p+n突变结的轻掺杂区厚度，不但能减少存储电荷，还能降低反向抽取电流。
判断题反向偏置饱和电流可看成是由中性区内少数载流子的产生而导致的。
