判断题对于P型的MOSFET，其衬底相对于源区应该接低电位。
判断题当硅表面处的少子浓度达到或超过体内平衡多子浓度时，称表面发生了强反型。
判断题一个增强型P沟道MOSFET，其阈值电压应该小于零。
判断题电流放大系数与频率成反比，频率每提高一倍，电流放大系数下降一半，功率增益降为四分之一。
判断题减薄p+n突变结的轻掺杂区厚度，不但能减少存储电荷，还能降低反向抽取电流。
