判断题减薄p+n突变结的轻掺杂区厚度，不但能减少存储电荷，还能降低反向抽取电流。
判断题反向偏置饱和电流可看成是由中性区内少数载流子的产生而导致的。
判断题PN结的p型和n型间的势垒随正向偏压而升高。
判断题根据耗尽近似得到的结，电场强度正好在冶金结分界处达到最大值。
判断题欧姆接触降低了结的内建电压。
