填空题当MOSFET处于亚阈区时，漏源电流与栅压呈（）关系。
填空题通过对沟道区进行离子注入可调整MOSFET的阈值电压，当注入的杂质与衬底杂质的类型相同时，N沟道MOSFET的阈值电压向（）方向调整。
填空题当在N型MOSFET的衬底加上一个负电位时，MOSFET的阈电压会（），这称为衬底偏置效应。
填空题MOSFET的基本工作原理，是通过改变栅源电压来控制沟道的导电能力，从而控制（）电流。
填空题IES代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流，相当于单独一个（）构成的PN结二极管的反向饱和电流。
