填空题当在N型MOSFET的衬底加上一个负电位时，MOSFET的阈电压会（），这称为衬底偏置效应。
填空题MOSFET的基本工作原理，是通过改变栅源电压来控制沟道的导电能力，从而控制（）电流。
填空题IES代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流，相当于单独一个（）构成的PN结二极管的反向饱和电流。
填空题共发射极电路中，基极电流IB是输入电流，集电极电流IC是输出电流。发射结正偏、集电结零偏时的IC与IB之比称为（），记为β。
填空题功率增益与频率平方的乘积称为晶体管的（），记为M。
