填空题IES代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流，相当于单独一个（）构成的PN结二极管的反向饱和电流。
填空题共发射极电路中，基极电流IB是输入电流，集电极电流IC是输出电流。发射结正偏、集电结零偏时的IC与IB之比称为（），记为β。
填空题功率增益与频率平方的乘积称为晶体管的（），记为M。
填空题当N型MOSFET的温度降低时，器件的阈值电压将（）。
填空题当MOSFET处于亚阈区时，衬底表面的少子浓度介于本征载流子浓度与衬底平衡（）浓度之间。
