化学机械抛光是一种利用研磨液腐蚀作用和磨粒机械作用的双重作用的研磨方法。在利用磨粒和有腐蚀效果的研磨液的研磨中,有使用氧化铁和硫酸或盐酸的水溶液,也有使用MnZn铁淦氧、Al2O3磨粒和盐酸水溶液研磨钆、镓、石榴石基板的实例,其目的都是为提高加工效率和加工质量。不使用磨粒而只利用具有腐蚀效果的加工液进行摩擦抛光的研磨,更适合化合物半导体晶片的加工。对于GaAs晶片,使用NaClO3水溶液或溴甲醇和人造革研具,可以进行几乎大加工缺陷的镜面研磨。
问答题简述弹性发射加工方法。
问答题简述无损伤抛光方法。
问答题研磨精密平面时,应使用怎样的研磨机床和研具?应有怎样的研磨运动?
问答题简述研磨、抛光时加工表面产生变质层的机理和减少变质层的办法。
问答题简述抛光加工的机理和特点。
问答题简述电致伸缩材料和压电材料的特点。
问答题简述电致伸缩微位移工作台的特点及其应用。
问答题简述电磁控制微位移工作台的特点及其应用。
问答题简述平行弹性导轨微位移工作台的特点及其应用。
问答题简述各种微位移机构和器件的性能、特点及其应用场合。
问答题平面类形状位置误差的测量中,利用哪些方法来分离误差,它们在原理上有哪些共同点?
问答题简述三种转位法误差分离原理及其在误差测量中的应用。
问答题简述三点法误差分离方法的特点和应用。
问答题简述误差补偿系统的组成及各组成部分的作用。
问答题简述误差补偿的过程。