A.将成核率I＝1cm-1S-1对应的饱和比（或过冷度）称为临界饱和比。B.随饱和比增加，在接近临界饱和比之前……

多项选择题晶体生长大致可以分为晶核的（）两个阶段。

A.形成
B.孵化
C.生长
D.团聚

多项选择题降温法生长关键控制技术包括（）等。

A.精确控制降温速率
B.合理的供热方式和搅拌程序
C.轻放轻取不引入应力
D.选择合理的生长速率

单项选择题气相生长晶体的关键是（）

A.严格选择和控制生长条件
B.温场的合理设计
C.仪器控制灵敏
D.外界环境振动干扰较少

单项选择题气相生长的基本原理：气相原子或分子运动到晶体表面，在一定的条件下被晶体吸收，形成稳定的（）。俘获吸附原子，台阶运动蔓延整个表面，便生长一层晶体薄膜。

A.二维晶核
B.台阶
C.扭折
D.团簇

单项选择题有关表面能级图描述不正确的说法有（）。

A.在表面能级图上每一点作出垂直于该点矢径的平面，这些平面所包围的最小体积就相似于晶体的平衡状态。
B.晶体的平衡形状相似于表面能极图中体积最小的内接多面体。
C.表面能级图中相应于表面能较低的方向，能量曲面将出现凸点。
D.一般说来，在0K时，晶体的所有低指数方向都是凹入点。