A.精确控制降温速率B.合理的供热方式和搅拌程序C.轻放轻取不引入应力D.选择合理的生长速率
单项选择题膜层与基片的结合强度相比较：（）。
A.蒸镀〉溅射〉离子镀B.蒸镀〉溅射〈离子镀C.蒸镀〈溅射〉离子镀D.蒸镀〈溅射〈离子镀
单项选择题气相生长晶体的关键是（）
A.严格选择和控制生长条件B.温场的合理设计C.仪器控制灵敏D.外界环境振动干扰较少
