A.温度B.界面能C.界面曲率半径D.化学势界面压力的大小决定于（）……

多项选择题晶体生长大致可以分为晶核的（）两个阶段。

A.形成
B.孵化
C.生长
D.团聚

多项选择题降温法生长关键控制技术包括（）等。

A.精确控制降温速率
B.合理的供热方式和搅拌程序
C.轻放轻取不引入应力
D.选择合理的生长速率

单项选择题膜层与基片的结合强度相比较：（）。

A.蒸镀〉溅射〉离子镀
B.蒸镀〉溅射〈离子镀
C.蒸镀〈溅射〉离子镀
D.蒸镀〈溅射〈离子镀

单项选择题气相生长晶体的关键是（）

A.严格选择和控制生长条件
B.温场的合理设计
C.仪器控制灵敏
D.外界环境振动干扰较少

单项选择题气相生长的基本原理：气相原子或分子运动到晶体表面，在一定的条件下被晶体吸收，形成稳定的（）。俘获吸附原子，台阶运动蔓延整个表面，便生长一层晶体薄膜。

A.二维晶核
B.台阶
C.扭折
D.团簇