现代主流的集成电路加工技术为CMOS工艺，即最基本的器件是由（）和NMOS组成。

填空题集成电路产业包括：IC设计、（）、IC封装、IC测试。

填空题用DRACULA做layout的LVS检查后，修改完所有错误的标志是用vi命令在名为（）的文件里看到unmatching devices是（），以及没有（）的描述。

填空题用DRACULA做layout的DRC检查后，修改完所有错误的标志是用vi命令在后缀名为（）的文件里看到ERRORS WINDOW SIZE是（）

填空题用DRACULA做layout的LVS检查时，先要运行PDRACULA命令，然后再执行（）文件。

填空题用DRACULA做layout的DRC检查时，先要运行PDRACULA命令，然后再执行（）文件。

填空题用DRACULA做layout的LVS检查时，首先要把schematic转成CDL的netlist，并对这个netlist做（）

填空题建立一个新的layout library时需要Compile a new techfile，或者（），或Don’t need a techfile。

填空题在layout编辑命令中，Hierachy命令一栏下，有两个相反的操作命令他们分别是make cell和（）

填空题在P型衬底上画nmos器件时需要在P型衬底上加（），并用金属线把这个（）与P型衬底内的（）电位相连接。

填空题在nwell上画pmos器件时需要在nwell上加（），并用金属线把这个（）与nwell内的（）电位相连接。

填空题用Cadence软件设计集成电路版图的输出数据的格式是（）

填空题衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）

填空题MOS场效应晶体管分为四种基本类型：（）、（）、P沟增强型、P沟耗尽型。

填空题CMOS的英文全称是（）

填空题在放大模式偏置下，双极型晶体管的EB结（），CB结反向偏置。