A.后缀名为drc的文件。B.后缀名为lvs的文件。C.后缀名为sum的文件。D.后缀名为com的文件。DRA……

单项选择题上图中淡黄色为contact layer，淡紫色为poly1 layer，蓝色为active layer，淡蓝色为nimplant layer，淡绿色为metal1 layer请问这是什么样的CMOS器件？（）

A.是串联的nmos管
B.是并联的nmos管
C.是串联的pmos管
D.是并联的pmos管

单项选择题上图中淡黄色为contact layer，淡紫色为poly1 layer，蓝色为active layer，淡蓝色为nimplant layer，请问这是什么样的CMOS器件？（）

A.是串联的nmos管
B.是并联的nmos管
C.是串联的pmos管
D.是并联的pmos管

单项选择题N型半导体材料的迁移率比P型半导体材料的迁移率（）

A.相等
B.小
C.大

单项选择题NMOS器件的衬底是（）型半导体。

A.N型
B.P型
C.本征型
D.耗尽型

单项选择题当NMOS器件工作在饱和区时，沟道出于（）状态。

A.积累
B.耗尽
C.导通
D.夹断

单项选择题在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（）

A.增大
B.减小
C.不变
D.先减小后增大

单项选择题当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时，耗尽区加宽，使得阈值电压（）

A.增大
B.减小
C.不变
D.先增大后减小

单项选择题耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）

A.大于零
B.等于零
C.大于0.7V
D.小于零

单项选择题双极型晶体管有（）

A.二个pn结
B.一个pn结
C.三个pn结
D.没有pn结

单项选择题pn结正向偏置时，外加电场削弱势垒区内自建电场，因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入，形成正向（）

A.复合电流
B.漂移电流
C.扩散电流
D.漏电流

单项选择题通常把服从费米分布的半导体称为（）

A.简并半导体
B.非简并半导体
C.杂质半导体
D.化合物半导体

单项选择题施主杂质和受主杂质之间有相互抵消作用，通常称为（）

A.杂质电离
B.杂质补偿
C.载流子复合
D.载流子迁移

单项选择题PCI总线是（）

A.同步并行总线；
B.异步并行总线；
C.同步串行总线；
D.异步串行总线。

单项选择题DDR-SDRAM，SDR-SDRAM的主要区别是DDR-SDRAM（）

A.上升沿触发；
B.下降沿出发；
C.双沿触发；
D.低电平触发。

单项选择题下列存储器中，（）是NonVolatile（非易失）存储器。

A.SRAM
B.DRAM
C.FLASH
D.SBSRAM