填空题功率增益与频率平方的乘积称为晶体管的（），记为M。
填空题当N型MOSFET的温度降低时，器件的阈值电压将（）。
填空题当MOSFET处于亚阈区时，衬底表面的少子浓度介于本征载流子浓度与衬底平衡（）浓度之间。
填空题当MOSFET的沟道宽度很小时，阈值电压将随着沟道宽度的增加而（）。
判断题PN结正偏时，势垒高度降低。这就意味着n型侧中性区和p型侧中性区有更多的多子可以通过漂移运动越过势垒。
