半导体的陷阱中心数量是变化的。

多项选择题直流光电导衰退法的优点主要有（）

A.可测量几个微秒的寿命
B.测量准确度高
C.测量下限较低
D.测量电阻率的下限也较低

单项选择题直流光电导衰退法的缺点主要有（）

A.测量下限较高
B.对样品有几何形状和几何尺寸的要求
C.要求制备符合一定要求的欧姆接触
D.仪器线路比较复杂

多项选择题用接触法测量半导体单晶电阻率的方法主要有（）

A.两探针法
B.四探针法
C.范德堡法
D.扩展电阻法

多项选择题影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素主要有（）

A.电极电位
B.腐蚀液的成分
C.腐蚀处理的温度和搅拌的影响
D.缓冲剂的影响

多项选择题陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（）

A.使整个样品加底光照
B.将硅单晶加热到50～70℃
C.加底光照后用氙灯闪光进行照射
D.将硅单晶加热到60～80℃