影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素主要有（）

多项选择题陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（）

A.使整个样品加底光照
B.将硅单晶加热到50～70℃
C.加底光照后用氙灯闪光进行照射
D.将硅单晶加热到60～80℃

多项选择题下列有关漩涡缺陷的说法正确的是（）

A.是晶体中点缺陷的局部聚集
B.漩涡条纹是不连续的
C.由大量的浅蚀坑组成
D.在晶体中实际上是呈螺旋阶梯分布的

单项选择题稳态法测量非平衡少数载流子寿命，主要采用的方法有（）

A.扩散长度法
B.光电导衰退法
C.光脉冲法
D.光磁法

多项选择题四探针法测量电阻率的测准条件主要有（）

A.电流通过样品不应引起样品的电导率发生变化
B.一般采用1～2mm左右的针距较适宜
C.四根探针应处于同一平面的同一条直线上
D.样品的厚度必须大于3倍针距

多项选择题目前常用的测量非平衡少数载流子寿命的方法，一般主要有（）。

A.直接法
B.瞬态法
C.稳态法
D.间接法