A.溅射物理气相沉积B.蒸发物理气相沉积C.等离子增强化学气相沉积D.低压化学气相沉积集成电路生产中，金属薄膜……

单项选择题现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（）

A.扩散
B.化学机械抛光
C.刻蚀
D.离子注入

单项选择题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。

A.刻蚀
B.离子注入
C.光刻
D.金属化

单项选择题NMOS源漏的掺杂类型分别为（）

A.P+、P+
B.P+，N+
C.N+，N+
D.N+，P+

单项选择题NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。

A.P阱，P沟
B.P阱、N沟
C.N阱、N沟
D.N阱、P沟

单项选择题在集成电路加工制造中，通常所指前道工艺为（）

A.集成电路制造（晶圆加工）
B.集成电路封装
C.集成电路测试
D.集成电路设计