计算题

由理想二极管组成的电路如图所示，试求图中标注的电压V和电流I的大小。

问答题二极管的正向伏安特性曲线如图所示，室温下测得二极管中的电流为20mA，试确定二极管的静态直流电阻RD和动态电阻rd的大小。

问答题在室温（300K）情况下，若二极管的反向饱和电流为1nA，问它的正向电流为0.5mA时应加多大的电压。设二极管的指数模型为iD=IS（eυD mVT-1），其中m＝1，VT＝26mV。

问答题若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在T＝300K时自由电子和空穴热平衡浓度值，掺杂前后半导体的电导率之比。

问答题在300K下，一个锗晶体中的施主原子数等于2×1014cm-3，受主原子数等于3×1014cm-3。 （1）试求这块晶体中的自由电子与空穴浓度。由此判断它是N型还是P型锗？它的电功能主要是由电子还是由空穴来体现？ （2）若Na＝Nd＝1015cm-3，重做上述内容。  （3）若Nd＝1016cm-3，Na＝1014cm-3，重做上述内容。

问答题电路如图所示，集成稳压器7824的2、3端电压V32＝VREF＝24V，求输出电压VO和输出电流IO的表达式，说明该电路具有什么作用？