二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止状态,并确定输出电压Vo。设二极管的导通压降为0.7V。
问答题由理想二极管组成的电路如图所示,试求图中标注的电压V和电流I的大小。
问答题二极管的正向伏安特性曲线如图所示,室温下测得二极管中的电流为20mA,试确定二极管的静态直流电阻RD和动态电阻rd的大小。
问答题在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正向电流为0.5mA时应加多大的电压。设二极管的指数模型为iD=IS(eυD mVT-1),其中m=1,VT=26mV。
问答题若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子,试计算在T=300K时自由电子和空穴热平衡浓度值,掺杂前后半导体的电导率之比。
问答题在300K下,一个锗晶体中的施主原子数等于2×1014cm-3,受主原子数等于3×1014cm-3。 (1)试求这块晶体中的自由电子与空穴浓度。由此判断它是N型还是P型锗?它的电功能主要是由电子还是由空穴来体现? (2)若Na=Nd=1015cm-3,重做上述内容。 (3)若Nd=1016cm-3,Na=1014cm-3,重做上述内容。