问答题若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子,试计算在T=300K时自由电子和空穴热平衡浓度值,掺杂前后半导体的电导率之比。
问答题在300K下,一个锗晶体中的施主原子数等于2×1014cm-3,受主原子数等于3×1014cm-3。 (1)试求这块晶体中的自由电子与空穴浓度。由此判断它是N型还是P型锗?它的电功能主要是由电子还是由空穴来体现? (2)若Na=Nd=1015cm-3,重做上述内容。 (3)若Nd=1016cm-3,Na=1014cm-3,重做上述内容。
问答题电路如图所示,集成稳压器7824的2、3端电压V32=VREF=24V,求输出电压VO和输出电流IO的表达式,说明该电路具有什么作用?
问答题若电容器C断开,试画vI、vO及电阻R两端电压vR的波形。
问答题若稳压管Dz的动态电阻rz=20Ω,求稳压电路的内阻Ro及面ΔVo ΔVI的值