沟道长度的缩短增加了源漏穿通的可能性，将引起不需要的漏电流，所以需要采用LDD工艺。 轻掺杂漏注入使砷和BF2这些较大质量的掺杂材料使硅片的上表面成为非晶态。大质量材料和表面非晶态的结合有助于维持浅结，从而减少源漏间的沟道漏电流效应。
问答题光刻和刻蚀的目的是什么？
问答题离子注入后为什么要进行退火？
问答题离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？
问答题例举出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个生产区域做简单描述。
问答题例举出7种先进封装技术。
