填空题用直拉法制备硅单晶时，把（）放入（），在硅单晶炉内进行熔化。
填空题（）也叫切克劳斯基（Czochralsik）方法，此法早在1917年由切克斯基建立的一种晶体生长方法，后来经过很多人的改进，成为现在制备单晶硅的主要方法。
填空题从熔体中生长单晶所用（）法和（）法，是当前生产硅单晶的主要方法。
填空题为了促进生长界面稳定，可采用下列办法。系用较大的（），较慢的（）和较小的（）。
填空题晶体生长实验证明，导致界面不稳定原因主要由（）、（）、（）因素引起的。
