案例分析题

设某1μmCMOS工艺的参数如下

P管几何尺寸为多少才能获得与N管相同的增益因子。

问答题试求最小尺寸NMOS管的栅电容和增益因子βn。

问答题利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×14μm的薄氧化层区正中央构成一个MOS晶体管，已知栅电容Cox=10-3pF μm2，扩散区电容Cja=10-4pF μm2，扩散区周边电容为Cja=10-3pF μm，场区多晶硅与衬底之间的电容Cp=5×10-5pF μm2，试计算多晶硅区和扩散区的电容。

问答题计算该材料的方块电阻值。

问答题若使用方块电阻的概念，计算该材料电阻的公式是什么？

问答题由这层材料制作的长度为55μm、宽度为5μm的电阻值。