简答题

利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×14μm的薄氧化层区正中央构成一个MOS晶体管，已知栅电容C_ox=10^-3pF/μm²，扩散区电容C_ja=10^-4pF/μm²，扩散区周边电容为C_ja=10^-3pF/μm，场区多晶硅与衬底之间的电容C_p=5×10^-5pF/μm²，试计算多晶硅区和扩散区的电容。

问答题计算该材料的方块电阻值。

问答题若使用方块电阻的概念，计算该材料电阻的公式是什么？

问答题由这层材料制作的长度为55μm、宽度为5μm的电阻值。

问答题图2.10版图中，若P管的L W=8，N管的L W=1 3，试用表2.3给出的设计规则，求 P阱左边缘与P+区右边缘的最小距离d。

问答题某IC芯片面积为5×5mm2，生产中采用6英寸硅片，假定生产的成品率为25%，每个硅片的加工成本为200美元，每个芯片的封装费用为0.75美元，请按上述条件估算合格电路的生产成本。（已知1英寸=2.54cm）