案例分析题假设MOS电路中某层的电阻率ρ=1Ω.cm，该层的厚度为1μm 由这层材料制作的长度为55μm、宽度为5μm的电阻值。

问答题图2.10版图中，若P管的L W=8，N管的L W=1 3，试用表2.3给出的设计规则，求 P阱左边缘与P+区右边缘的最小距离d。

问答题某IC芯片面积为5×5mm2，生产中采用6英寸硅片，假定生产的成品率为25%，每个硅片的加工成本为200美元，每个芯片的封装费用为0.75美元，请按上述条件估算合格电路的生产成本。（已知1英寸=2.54cm）