填空题当MOSFET的沟道宽度很小时，阈值电压将随着沟道宽度的增加而（）。
判断题PN结正偏时，势垒高度降低。这就意味着n型侧中性区和p型侧中性区有更多的多子可以通过漂移运动越过势垒。
判断题正偏PN结中，耗尽区边界的少子小于平衡态少子。
判断题在正偏时，从P区注入N区的非平衡空穴，其浓度在N区中随距离作指数式衰减。这是因为非平衡空穴在N区中一边扩散一边复合的缘故。
判断题正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值，这导致了该区域内载流子出现复合占优。
