A.载流子浓度B.电场强度C.载流子浓度梯度D.电荷密度输运方程由电子电流密度和空穴电流密度构成，当载流子的迁……

多项选择题‎短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象？（）

A.跨导与沟道长度L不再有关
B.饱和漏源电压正比于沟道长度L
C.阈值电压随L的缩短而减小
D.饱和漏极电流与沟道长度L无关

多项选择题‍以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流？（）

A.沟道长度增加
B.阈值电压提高
C.栅氧化层厚度减小
D.沟道宽度增加

多项选择题‎防止基区穿通的措施是提高（）。

A.增大基区宽度
B.增大基区掺杂浓度
C.减小基区掺杂浓度
D.减小基区宽度

多项选择题‍要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（）。

A.减小基区掺杂浓度
B.增大基区宽度
C.增大基区掺杂浓度
D.减小基区宽度

多项选择题PN结之所以具有反向恢复过程是由于（）。

A.少子的复合需要时间
B.中性区有多子电荷存储
C.反向电流的抽取需要时间
D.中性区有少子电荷存储