A.跨导与沟道长度L不再有关B.饱和漏源电压正比于沟道长度LC.阈值电压随L的缩短而减小D.饱和漏极电流与沟道……

多项选择题‍以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流？（）

A.沟道长度增加
B.阈值电压提高
C.栅氧化层厚度减小
D.沟道宽度增加

多项选择题‎防止基区穿通的措施是提高（）。

A.增大基区宽度
B.增大基区掺杂浓度
C.减小基区掺杂浓度
D.减小基区宽度

多项选择题‍要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（）。

A.减小基区掺杂浓度
B.增大基区宽度
C.增大基区掺杂浓度
D.减小基区宽度

多项选择题PN结之所以具有反向恢复过程是由于（）。

A.少子的复合需要时间
B.中性区有多子电荷存储
C.反向电流的抽取需要时间
D.中性区有少子电荷存储

多项选择题‍PN结的击穿种类有（）。

A.齐纳击穿
B.雪崩击穿
C.隧道击穿
D.热击穿