A.内建电势B.耗尽区宽度C.最大电场D.势垒高度
多项选择题输运方程由电子电流密度和空穴电流密度构成，当载流子的迁移率和扩散系数确定以后，漂移电流取决于（）。
A.载流子浓度B.电场强度C.载流子浓度梯度D.电荷密度
多项选择题短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象？（）
A.跨导与沟道长度L不再有关B.饱和漏源电压正比于沟道长度LC.阈值电压随L的缩短而减小D.饱和漏极电流与沟道长度L无关
多项选择题以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流？（）
A.沟道长度增加B.阈值电压提高C.栅氧化层厚度减小D.沟道宽度增加
多项选择题防止基区穿通的措施是提高（）。
A.增大基区宽度B.增大基区掺杂浓度C.减小基区掺杂浓度D.减小基区宽度
多项选择题要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（）。
A.减小基区掺杂浓度B.增大基区宽度C.增大基区掺杂浓度D.减小基区宽度
